بيت / أخبار / أخبار الشركة / تحليل دائرة التحكم لصندوق الوصلات الكهروضوئية
أخبار الشركة

تحليل دائرة التحكم لصندوق الوصلات الكهروضوئية

1. حاليًا، تستخدم العاكسات ذات خرج الموجة المربعة في الغالب دوائر متكاملة لتعديل عرض النبضة، مثل SG3525 وTL494 وما إلى ذلك. وقد أثبتت الممارسة أن استخدام الدائرة المتكاملة SG3525 واستخدام ترانزستورات تأثير مجال الطاقة كمكونات طاقة تبديل يمكن أن يحقق عاكسًا عالي الأداء وفعالاً من حيث التكلفة. نظرًا لقدرة SG3525 على تشغيل ترانزستورات تأثير مجال الطاقة مباشرةً، بالإضافة إلى مصدرها المرجعي الداخلي ومضخم التشغيل ووظائف الحماية من الجهد المنخفض، فإن دائرتها الطرفية بسيطة جدًا.

2. يمكن التحكم في الدائرة المتكاملة للتحكم في العاكس لإخراج الموجة الجيبية بواسطة معالج دقيق. تحتوي جميع وحدات التحكم الدقيقة هذه على مولدات PWM متعددة ويمكنها ضبط الوقت الميت بين ذراعي الجسر العلوي والعلوي. يتم استخدام الدائرة 80C196N لتحقيق خرج الموجة الجيبية، ويتم استخدام الدائرة 80C196N لتوليد إشارات الموجة الجيبية واكتشاف جهد خرج التيار المتردد لتحقيق استقرار الجهد.

اختيار أجهزة الطاقة للدائرة الرئيسية لعاكس صندوق الوصلات الكهروضوئية:

يعد اختيار مكونات الطاقة الرئيسية للمحولات أمرًا بالغ الأهمية. حاليًا، تشتمل مكونات الطاقة شائعة الاستخدام على ترانزستورات طاقة دارلينجتون، وترانزستورات تأثير مجال الطاقة، وترانزستورات البوابة المعزولة، وثايرستور الإيقاف. في الأنظمة ذات السعة الصغيرة والجهد المنخفض، المكون الأكثر استخدامًا هو ترانزستورات MOSFET، والتي تتميز بانخفاض أقل في جهد الحالة وتردد تبديل أعلى. في أنظمة الجهد العالي والسعة الكبيرة، تُستخدم وحدات IGBT بشكل عام، وذلك لأنه مع زيادة الجهد، تزداد أيضًا مقاومة الحالة التشغيلية لـ MOSFETs، وتتمتع IGBTs بميزة كبيرة في أنظمة السعة المتوسطة، بينما في أنظمة السعة الكبيرة جدًا، يتم استخدام GTO بشكل عام كمكون للطاقة.